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中國(guó)加速發(fā)展本土AI芯片，除了受到中芯國(guó)際等晶圓代工廠產(chǎn)能限制外，缺乏高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)成為一大考驗(yàn)。 半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)《SemiAnalysis》最新報(bào)告指出，雖然中國(guó)企業(yè)近年大舉囤貨，但到今年底進(jìn)口的HBM庫(kù)存將逐步耗盡，導(dǎo)致華為等廠商明年可能無(wú)法生產(chǎn)百萬(wàn)片以上的AI芯片。

目前，中國(guó)對(duì)HBM的依賴程度極高，尤其在美國(guó)嚴(yán)格出口管制之前，華為與其他廠商積極掃貨，庫(kù)存來(lái)自三星等外國(guó)供應(yīng)商。 報(bào)告指出，三星一度向中國(guó)出口約1140萬(wàn)個(gè)HBM，占中國(guó)現(xiàn)有存量的主要比例。

然而，隨著國(guó)際限制加強(qiáng)，難以彌補(bǔ)需求缺口。 統(tǒng)計(jì)顯示，中國(guó)總計(jì)采購(gòu)約1300萬(wàn)個(gè)HBM，足以支持160萬(wàn)個(gè)升騰910C芯片，但在當(dāng)前消耗速度下，供應(yīng)緊繃問(wèn)題將在年底浮現(xiàn)。

中國(guó)原本有能力每年生產(chǎn)超過(guò)80萬(wàn)片升騰910C，但由于HBM供應(yīng)不足，實(shí)際產(chǎn)能無(wú)法完全釋放。 換言之，存儲(chǔ)器正是限制中國(guó)AI芯片擴(kuò)張的關(guān)鍵因素。

報(bào)告分析，如果中國(guó)缺乏足夠HBM，再多的芯片設(shè)計(jì)與代工努力也難以發(fā)揮效益，英偉達(dá)、超微等西方企業(yè)則能憑借完整供應(yīng)鏈保持領(lǐng)先。

至于本土替代方案，中國(guó)雖積極推動(dòng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等企業(yè)投入HBM開(kāi)發(fā)，但進(jìn)展仍受限，主因在于，將標(biāo)準(zhǔn)DRAM轉(zhuǎn)向HBM技術(shù)，需要高度專業(yè)化的設(shè)備與技術(shù)積累，而目前長(zhǎng)鑫在工具取得與良率提升方面均面臨障礙。 但如果長(zhǎng)鑫能持續(xù)獲得關(guān)鍵設(shè)備并改善制程，最快可能在2026年量產(chǎn)性能大幅提升的HBM3e，屆時(shí)中國(guó)或能部分突破困境。

北京市政府已提出明確計(jì)劃，力拼在2027年前達(dá)成半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的完全自給；上海市政府則設(shè)定目標(biāo)，要在2027年讓數(shù)據(jù)中心，特別是AI應(yīng)用所需芯片的“自主控制率”超過(guò)七成。