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中國半導(dǎo)體技術(shù)超越韓國,芯片領(lǐng)域全球排第二

發(fā)布時(shí)間:2025-09-01 13:08

韓國科學(xué)技術(shù)評估與規(guī)劃研究院前瞻技術(shù)中心(KISTEP)最新報(bào)告指出,中國半導(dǎo)體技術(shù)正在快速追趕韓國,并在多個(gè)芯片領(lǐng)域超越韓國。

根據(jù)報(bào)告,目前中國在全球半導(dǎo)體技術(shù)排名第二,僅次于美國,幾乎在所有技術(shù)領(lǐng)域都領(lǐng)先韓國,包括存儲(chǔ)器芯片和先進(jìn)封裝技術(shù)。

報(bào)告顯示,中國在高密度電阻儲(chǔ)存技術(shù)得分達(dá)94.1%,超過韓國的90.9%;在AI芯片領(lǐng)域得分88.3%,也高于韓國的84.1%,顯示中國芯片產(chǎn)業(yè)正在縮小與韓國的技術(shù)差距。

值得注意的是,2022年KISTEP曾指出,韓國在存儲(chǔ)器芯片與先進(jìn)封裝技術(shù)方面僅次于美國,仍領(lǐng)先中國。

然而,分析師認(rèn)為,在存儲(chǔ)器芯片方面,韓國仍占有優(yōu)勢。無論是DRAM、NAND或HBM芯片,三星與SK海力士的產(chǎn)能、技術(shù)及研發(fā)歷史仍明顯領(lǐng)先中國廠商。

此外,三星在先進(jìn)制程上已能制造3nm芯片,并計(jì)劃今年實(shí)現(xiàn)2nm芯片量產(chǎn),其先進(jìn)封裝技術(shù)亦在全球處于領(lǐng)先水平,使韓國在尖端芯片制造上仍保持一定競爭優(yōu)勢。

隨著中國半導(dǎo)體企業(yè)持續(xù)快速發(fā)展,未來韓國芯片產(chǎn)業(yè)面臨全面超越的可能。部分分析師認(rèn)為,韓國在全球半導(dǎo)體市場的優(yōu)勢正逐漸消退,中國芯片的崛起將對全球半導(dǎo)體格局帶來深遠(yuǎn)影響。

來源︱中時(shí)新聞網(wǎng)
編輯︱梁景琴