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韓國(guó)科學(xué)技術(shù)評(píng)估與規(guī)劃研究院前瞻技術(shù)中心（KISTEP）最新報(bào)告指出，中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)正在快速追趕韓國(guó)，并在多個(gè)芯片領(lǐng)域超越韓國(guó)。

根據(jù)報(bào)告，目前中國(guó)在全球半導(dǎo)體技術(shù)排名第二，僅次于美國(guó)，幾乎在所有技術(shù)領(lǐng)域都領(lǐng)先韓國(guó)，包括存儲(chǔ)器芯片和先進(jìn)封裝技術(shù)。

報(bào)告顯示，中國(guó)在高密度電阻儲(chǔ)存技術(shù)得分達(dá)94.1％，超過韓國(guó)的90.9％；在AI芯片領(lǐng)域得分88.3％，也高于韓國(guó)的84.1％，顯示中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)正在縮小與韓國(guó)的技術(shù)差距。

值得注意的是，2022年KISTEP曾指出，韓國(guó)在存儲(chǔ)器芯片與先進(jìn)封裝技術(shù)方面僅次于美國(guó)，仍領(lǐng)先中國(guó)。

然而，分析師認(rèn)為，在存儲(chǔ)器芯片方面，韓國(guó)仍占有優(yōu)勢(shì)。無(wú)論是DRAM、NAND或HBM芯片，三星與SK海力士的產(chǎn)能、技術(shù)及研發(fā)歷史仍明顯領(lǐng)先中國(guó)廠商。

此外，三星在先進(jìn)制程上已能制造3nm芯片，并計(jì)劃今年實(shí)現(xiàn)2nm芯片量產(chǎn)，其先進(jìn)封裝技術(shù)亦在全球處于領(lǐng)先水平，使韓國(guó)在尖端芯片制造上仍保持一定競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

隨著中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)持續(xù)快速發(fā)展，未來(lái)韓國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)面臨全面超越的可能。部分分析師認(rèn)為，韓國(guó)在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)正逐漸消退，中國(guó)芯片的崛起將對(duì)全球半導(dǎo)體格局帶來(lái)深遠(yuǎn)影響。