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有別于三星2納米良率低迷，臺積電再傳捷報，根據(jù)《Tom's Hardware》報道，臺積電預計明年下半年開始量產(chǎn)2納米制程，臺積電員工在X平臺上指出，團隊成功將測試芯片良率提高6%，為客戶節(jié)省數(shù)十億美元。

▲傳臺積電2 納米良率提升。 資料照片

根據(jù)臺積電員工的說法，團隊成功將2納米制程的良率提高了6%，為客戶節(jié)省了數(shù)十億美元，但并未透露改善的是SRAM測試芯片，或是邏輯測試芯片的良率。

報道分析，臺積電明年1月開始提供2納米技術(shù)的shuttle測試晶圓服務，目前不太可能改善2納米制造最終實際芯片原型的良率。

而提高SRAM和邏輯測試芯片的良率非常重要，因為可以為客戶節(jié)省大量成本，從更高的良率中受益。

報道指出，臺積電2納米制程采用GAA納米電晶體的制程，可大幅降低功耗、提升效能和電晶體密度，尺寸小于3納米FinFET 電晶體管，能在不影響效能的情況下，改善靜電控制和減少漏電，以實現(xiàn)更小高密度 SRAM 位元單元。

反觀三星雖然超前切入GAA技術(shù)，卻傳出因德州廠2納米良率最多20%，良率太差已從德州泰勒(Taylor)廠撤回工作人員。

來源：中時新聞網(wǎng)