臺積電前研發(fā)主管林俊成(Lin Jun-Cheng)于2年前加入三星,擔任半導(dǎo)體業(yè)務(wù)先進封裝事業(yè)副總裁,如今他已卸下職務(wù),原因為與三星的聘用合約于去年年底屆滿。業(yè)界盛傳,林俊成離職后可能轉(zhuǎn)往臺灣或大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,但目前尚未有明確動向。
據(jù)韓媒FNNews報導(dǎo),林俊成曾于1999 年至2017年效力于臺積電,于2年前被三星延攬,擔任半導(dǎo)體研究院系統(tǒng)封裝實驗室副總裁,負責芯片封裝技術(shù)研發(fā),在任期間主導(dǎo)了下一代高頻寬記憶體(HBM) 芯片的開發(fā),包括HBM4封裝技術(shù)。
林俊成透過職場社群媒體LinkedIn證實了離職消息,并表示因兩年合約期限屆滿而告別三星。他強調(diào),“很高興能透過應(yīng)用三星先進的封裝技術(shù),為公司和個人職業(yè)生涯做出貢獻。這兩年是一段愉快且有意義的旅程。”
盡管林俊成與三星關(guān)係良好,但公司內(nèi)部的部分結(jié)構(gòu)性調(diào)整,促成了他離開的決定。目前尚不清楚林俊成是否會重返臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),或是轉(zhuǎn)往大陸發(fā)展,他的未來動向備受業(yè)界關(guān)注。
值得一提的是,林俊成是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的杰出專家。在臺積電任職期間,他領(lǐng)導(dǎo)團隊取得了超過450項美國注冊的核心專利,為臺積電目前傲人的3D封裝技術(shù)奠定了基礎(chǔ)。
來源:中時新聞網(wǎng)
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