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“一天幾個價”、“暴漲快過黃金”，一場由AI引爆的存儲芯片漲價風(fēng)暴正在席卷全球。過去半年，全球存儲芯片價格持續(xù)上漲，最近一個月，漲價消息更是越發(fā)密集。

歸因來看，這一輪周期的核心驅(qū)動力來自AI服務(wù)器——它們以驚人的存儲需求改寫著行業(yè)規(guī)則。然而，繁榮背后暗藏危機(jī)：HBM制造工藝復(fù)雜，擠占了傳統(tǒng)存儲芯片的產(chǎn)能，導(dǎo)致供需結(jié)構(gòu)性失衡。一邊是AI市場如火如荼，另一邊消費(fèi)電子領(lǐng)域卻陷入短缺，價格倒掛、現(xiàn)貨市場飆漲等現(xiàn)象頻現(xiàn)。這場由技術(shù)變革引發(fā)的產(chǎn)業(yè)鏈震蕩，將如何重塑全球存儲生態(tài)？機(jī)遇與挑戰(zhàn)又隱藏于何處？

AI服務(wù)器大幅提升需求，結(jié)構(gòu)性失衡特征明顯

與以往的景氣周期不同，此次存儲芯片市場的上行周期，其核心推手并非以往的個人消費(fèi)電子，而是AI服務(wù)器。這背后是AI大模型訓(xùn)練和推理所帶來的前所未有的存儲需求，改寫了存儲行業(yè)的周期邏輯。

具體來看，AI服務(wù)器對存儲芯片的需求呈現(xiàn)“量價齊升”的特點(diǎn)。在數(shù)量上，單臺AI服務(wù)器的DRAM用量約為傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，NAND Flash用量也達(dá)到傳統(tǒng)服務(wù)器的3倍。更重要的是質(zhì)的飛躍。AI模型參數(shù)高達(dá)萬億級別，訓(xùn)練時需要海量數(shù)據(jù)并行處理，傳統(tǒng)內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度已成為制約算力釋放的瓶頸，即“內(nèi)存墻”問題。為此而生的高帶寬內(nèi)存(HBM)通過將多個DRAM芯片垂直堆疊，提供了數(shù)倍于傳統(tǒng)內(nèi)存的傳輸速度，成為英偉達(dá)等AI芯片巨頭的標(biāo)配。

然而，HBM的制造過程復(fù)雜且昂貴，其消耗的晶圓產(chǎn)能是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的三倍以上，這直接擠占了傳統(tǒng)DRAM的產(chǎn)能，加劇了整體市場的供應(yīng)緊張。也導(dǎo)致了“一端過熱、一端過冷”的結(jié)構(gòu)性矛盾：AI市場熱火朝天，而消費(fèi)電子市場卻陷入供應(yīng)短缺。并且這種供需的結(jié)構(gòu)性錯配，在價格上還引發(fā)了罕見的現(xiàn)象。由于產(chǎn)能被HBM持續(xù)侵蝕，傳統(tǒng)DRAM(如DDR4)的供應(yīng)日趨緊張，其價格漲幅甚至一度超過了更先進(jìn)的DDR5，出現(xiàn)了價格倒掛。現(xiàn)貨市場上，服務(wù)器內(nèi)存條價格飆升至過去的數(shù)倍，并最終傳導(dǎo)至消費(fèi)端，使得固態(tài)硬盤、內(nèi)存條等產(chǎn)品價格持續(xù)看漲。

這一系列變化也正在重構(gòu)整個供應(yīng)鏈的生態(tài)。大型云服務(wù)商憑借其規(guī)模優(yōu)勢，提前鎖定了原廠的大部分產(chǎn)能，這使得中小型企業(yè)被迫在現(xiàn)貨市場上爭奪所剩無幾的資源，處境艱難。同時，終端廠商如PC品牌，也開始考慮在未來產(chǎn)品中減少內(nèi)存配置以控制成本，或?qū)で笃渌夹g(shù)方案來應(yīng)對這場持續(xù)的供應(yīng)緊張。

行業(yè)成長性與周期性兼具，2027年或是關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)

而這種失衡暴露了供應(yīng)鏈的脆弱性與存儲芯片市場本身的不確定性。即始終在“高成長”與“強(qiáng)周期”中搖擺。

從產(chǎn)品本身看，存儲芯片是難能可貴的科技類大宗商品，有標(biāo)準(zhǔn)化、大市場及強(qiáng)周期的顯著特點(diǎn)，不僅依賴高額資本開支、而且對下游需求非常敏感?；仡櫞鎯π酒膸纵喼芷?，價格走勢往往大起大落，被業(yè)內(nèi)戲稱為“要么數(shù)錢數(shù)到手抽筋，要么虧錢虧到心發(fā)慌”。而這種劇烈波動的根源在于供給和需求在時間上的錯配。建設(shè)一座新的晶圓廠動輒需要上百億美元和兩三年時間，一旦市場需求爆發(fā)，供給無法快速響應(yīng)，導(dǎo)致價格飆升。當(dāng)各大廠商產(chǎn)能集中釋放時，又極易導(dǎo)致供過于求，價格隨之下跌。

總結(jié)起來就是：價格暴漲 → 廠商巨額盈利并瘋狂擴(kuò)產(chǎn) → 產(chǎn)能過剩 → 價格暴跌 → 廠商虧損并削減資本開支 → 供需逐漸平衡 → 下一輪漲價開始。資本開支的“時滯效應(yīng)”與產(chǎn)品的“同質(zhì)化”，不斷放大這一循環(huán)，使其周期性尤為強(qiáng)大。

在此背景下，尋找行業(yè)供需平衡點(diǎn)尤為重要。摩根士丹利則預(yù)測，存儲行業(yè)在AI驅(qū)動下開啟“超級周期”，2025年全球存儲收入有望達(dá)2000億美元。摩根大通表示，“內(nèi)存饑渴”趨勢正在推動整個行業(yè)進(jìn)入結(jié)構(gòu)性增長階段，DRAM市場正迎來一個從2024年持續(xù)至2027年的“前所未有的四年定價上行周期”，預(yù)計(jì)到2027年，全球存儲市場規(guī)模將達(dá)到近3000億美元。

產(chǎn)業(yè)鏈機(jī)會在哪里

也正是由于行業(yè)周期性與成長性的雙重特征，為存儲芯片市場帶來了不確定性，但也孕育著新的機(jī)遇。摩根士丹利等機(jī)構(gòu)對2027年市場的樂觀預(yù)測，不僅反映了AI需求的長期潛力，更暗示了產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的價值重估。

東方財富證券指出從需求側(cè)看，隨著大模型持續(xù)推出，對于 DRAM、NAND的需求將大幅提升。供給側(cè)看，明年隨著長江存儲新產(chǎn)品和長鑫的 HBM3等最新產(chǎn)品逐漸突破，疊加數(shù)據(jù)中心對于 SSD 及 HBM 需求快速提升導(dǎo)致供需錯配，激發(fā)了長存及長鑫擴(kuò)產(chǎn)動能。判斷明年有望是兩存擴(kuò)產(chǎn)大年，建議重點(diǎn)關(guān)注國產(chǎn)存力產(chǎn)業(yè)鏈的整體機(jī)會： NAND&DRAM 半導(dǎo)體(長存相關(guān))產(chǎn)業(yè)鏈：中微公司、拓荊科技、安集科技、京儀裝備、中科飛測、芯源微； 長鑫&HBM 存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈：北方華創(chuàng)、兆易創(chuàng)新、精智達(dá)、上海新陽、雅克科技、百傲化學(xué)、德明利、江波龍、香農(nóng)芯創(chuàng)。

開源證券則認(rèn)為從工藝層面而言，存儲擴(kuò)產(chǎn)將會顯著帶動刻蝕與薄膜設(shè)備需求?？涛g設(shè)備：北方華創(chuàng)、中微公司；薄膜沉積設(shè)備：拓荊科技、北方華創(chuàng)、微導(dǎo)納米、邁為股份等；過程控制設(shè)備：中科飛測、精測電子等；后道設(shè)備：長川科技、精智達(dá)、矽電股份等。

結(jié)語：在高成長的同時別忘了強(qiáng)周期

最后縱觀本輪存儲芯片的超級周期，AI無疑扮演了顛覆性的角色。它既推動了HBM等高端技術(shù)的快速迭代，也暴露了產(chǎn)業(yè)鏈中供需錯配、資源爭奪等深層次矛盾。從市場格局看，大型云服務(wù)商憑借規(guī)模優(yōu)勢搶占產(chǎn)能，中小企業(yè)的生存空間受到擠壓；而從技術(shù)演進(jìn)看，高帶寬、高容量存儲產(chǎn)品正逐步成為算力時代的核心基礎(chǔ)設(shè)施。

盡管摩根士丹利等機(jī)構(gòu)預(yù)測，到2027年全球存儲市場規(guī)模有望突破3000億美元，但這一增長路徑并非坦途——晶圓廠建設(shè)周期長、資本投入巨大，行業(yè)仍將延續(xù)“高成長”與“強(qiáng)周期”并存的特征。對國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈而言，長江存儲、長鑫存儲等企業(yè)在HBM和先進(jìn)存儲領(lǐng)域的突破，或許將成為打破國際壟斷、實(shí)現(xiàn)自主可控的關(guān)鍵。未來，隨著AI應(yīng)用場景的持續(xù)深化，存儲芯片的需求結(jié)構(gòu)、技術(shù)路線與競爭邏輯還將進(jìn)一步重構(gòu)。只有緊跟技術(shù)趨勢、優(yōu)化產(chǎn)能布局的企業(yè)，才能在這場存儲變革中占據(jù)先機(jī)。